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消息称美光232层TLC2400MT/s良率不足,部分PCIe5.0SS

2022-09-13 21:29:23     来源:IT之家    阅读量:16838   

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在过去的几周里,至少有三家厂商,Corsair,Gigabyte和Goodram,推出了自己的基于cluster E26主控和PCIe 5.0 x4接口的固态硬盘。其中Corsair和Goodram产品只能提供10GBps的连续读取速度,而Gigabyte Aorus Gen5 10000可以达到12.4GBps

之前也有用户对此感到困惑现有外媒指出,造成这种情况的主要原因是目前的3D NAND闪存没有足够的速度吃掉主控性能,更进一步的原因是美光的高速闪存容量不足

根据消息显示,Cluster PS5026—E26支持8个NAND通道,支持不同的数据传输速率可是,要运行完整的PCIe 5.0 x4,它需要具有2400 MTps接口的3D NAND闪存颗粒

美光在今年7月推出了这种内存,SK海力士也在8月初推出了这种闪存,然后长江存储也推出了自己的Xtacking 3.0架构,同样实现了2400MTps的速度。

本站报道称,Galaxy也在测试其HOF Extreme 50 SSD,该SSD也使用Micron的232层2400MTps闪存。

事实上,Groupon E26的所有演示都是基于美光最新的3D NAND闪存,这些硬盘在手中可以实现高达12GBps的连续读取速度。

目前由于NAND闪存的供货问题,前期上市的部分群联E26固态硬盘只能达到10000MBps左右的读取速度除了技嘉Aorus Gen5 10000 SSD使用美光的2400 MTps闪存,海盗船和金士顿HDD只能使用1600 MTps闪存

美光解释了世界上第一个232层NAND:速度提高50%,以实现最高的TLC密度。

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